深圳市極光光電高亮度LED封裝工藝技術(shù)及方案
：2017-12-13
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隨著手機(jī)閃光燈、大中尺寸（NB、LCD-TV等）顯示屏光源模塊以至特殊用途照明系統(tǒng)之應(yīng)用逐漸增多。末來再擴(kuò)展至用于一般照明系統(tǒng)設(shè)備，采用白光LED技術(shù)之大功率（High Power）LED市場將陸續(xù)顯現(xiàn)。在技術(shù)方面，現(xiàn)時(shí)遇到最大挑戰(zhàn)是提升及保持亮度，若再增強(qiáng)其散熱能力，市場之發(fā)展深具潛力。
With the increasing application of mobile flashlight, large and medium sizes displays (NB, LCD-TV), illumination system in special usage and other future devELopment in illumination devices, high power LED with white light LED in entering the market in succession. The biggest challenge present is how to raise and keep the brightness. If the capability of heat radiating can be boosted up, the technology will have more powerful market potential.
近年來,隨著LED生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展一日千里,令其發(fā)光亮度提高和壽命延長,加上生產(chǎn)成本大幅降低，迅速擴(kuò)大了LED應(yīng)用市場，如消費(fèi)產(chǎn)品、訊號(hào)系統(tǒng)及一般照明等，于是其全球市場規(guī)?？焖俪砷L。2003年全球LED市場約44.8億美元 (高亮度LED市場約27億美元),較2002年成長17.3% (高亮度LED市場成長47%),乘著手機(jī)市場繼續(xù)增長之勢,預(yù)測2004年仍有14.0%的成長幅度可期。
在產(chǎn)品發(fā)展方面，白光LED之研發(fā)則成為 廠商們之重點(diǎn)開發(fā)項(xiàng)目。現(xiàn)時(shí)制造白光LED方法主要有四種：
一、藍(lán)LED+發(fā)黃光的螢光粉（如：YAG）
二、紅LED+綠LED+藍(lán)LED
三、紫外線LED+發(fā)紅/綠/藍(lán)光的螢光粉
四、藍(lán)LED+ZnSe單結(jié)晶基板
目前手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、PDA等背光源所使用之白光LED采用藍(lán)光單晶粒加YAG螢光而成。隨著手機(jī)閃光燈、大中尺寸（NB、LCD-TV等）顯示屏光源模塊以至特殊用途照明系統(tǒng)之應(yīng)用逐漸增多。末來再擴(kuò)展至用于一般照明系統(tǒng)設(shè)備，采用白光LED技術(shù)之大功率（High Power）LED市場將陸續(xù)顯現(xiàn)。在技術(shù)方面，現(xiàn)時(shí)遇到最大挑戰(zhàn)是提升及保持亮度，若再增強(qiáng)其散熱能力，市場之發(fā)展深具潛力。
ASM在研發(fā)及生產(chǎn)自動(dòng)化光電組件封裝設(shè)備上擁有超過二十年經(jīng)驗(yàn)，業(yè)界現(xiàn)行有很多種提升LED亮度方法，無論從芯片及封裝設(shè)計(jì)層面，至封裝工藝都以提升散熱能力和增加發(fā)光效率為目標(biāo)。在本文中，就LED封裝工藝的最新發(fā)展和成果作概括介紹及討論。還可以使用進(jìn)口的高透明度的灌封膠，極光光電使用日本進(jìn)口的灌封膠以此來提升LED亮度
芯片設(shè)計(jì)
從芯片的演變歷程中發(fā)現(xiàn)，各大LED生產(chǎn)商在上游磊晶技術(shù)上不斷改進(jìn)，如利用不同的電極設(shè)計(jì)控制電流密度，利用ITO薄膜技術(shù)令通過LED的電流能平均分布等，使LED芯片在結(jié)構(gòu)上都盡可能產(chǎn)生最多的光子。再運(yùn)用各種不同方法去抽出LED發(fā)出的每一粒光子，如生產(chǎn)不同外形的芯片；利用芯片周邊有效地控制光折射度提高LED取光效率，研制擴(kuò)大單一芯片表面尺寸（>2mm2）增加發(fā)光面積，更有利用粗糙的表面增加光線的透出等等。有一些高亮度LED芯片上p-n兩個(gè)電極的位置相距拉近，令芯片發(fā)光效率及散熱能力提高。而最近已有大功率LED的生產(chǎn)，就是利用新改良的激光溶解（Laser lift-off）及金屬黏合技術(shù)（metal bonding），將LED磊晶晶圓從GaAs或GaN長晶基板移走，并黏合到另一金屬基板上或其它具有高反射性及高熱傳導(dǎo)性的物質(zhì)上面，幫助大功率LED提高取光效率及散熱能力。
封裝設(shè)計(jì)
經(jīng)過多年的發(fā)展，垂直LED燈（φ3mm、φ5mm）和SMD燈（表面貼裝LED）已演變成一種標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品模式。但隨著芯片的發(fā)展及需要，開拓出切合大功率的封裝產(chǎn)品設(shè)計(jì)，為了利用自動(dòng)化組裝技術(shù)降低制造成本，大功率的SMD燈亦應(yīng)運(yùn)而生。而且，在可攜式消費(fèi)產(chǎn)品市場急速的帶動(dòng)下，大功率LED封裝體積設(shè)計(jì)也越小越薄以提供更闊的產(chǎn)品設(shè)計(jì)空間。
為了保持成品在封裝后的光亮度，新改良的大功率SMD器件內(nèi)加有杯形反射面，有助把全部的光線能一致地反射出封裝外以增加輸出流明。而蓋住LED上圓形的光學(xué)透鏡，用料上更改用以Silicone封膠，代替以往在環(huán)氧樹脂（Epoxy），使封裝能保持一定的耐用性。
封裝工藝及方案
半導(dǎo)體封裝之主要目的是為了確保半導(dǎo)體芯片和下層電路間之正確電氣和機(jī)械性的互相接續(xù)，及保護(hù)芯片不讓其受到機(jī)械、熱、潮濕及其它種種的外來沖擊。選擇封裝方法、材料和運(yùn)用機(jī)臺(tái)時(shí)，須考慮到LED磊晶的外形、電氣/機(jī)械特性和固晶精度等因素。因LED有其光學(xué)特性，封裝時(shí)也須考慮和確保其在光學(xué)特性上能夠滿足。
無論是垂直LED或SMD封裝,都必須選擇一部高精度的固晶機(jī)，因LED晶粒放入封裝的位置精準(zhǔn)與否是直接影響整件封裝器件發(fā)光效能。如圖1示，若晶粒在反射杯內(nèi)的位置有所偏差，光線未能完全反射出來，影響成品的光亮度。但若一部固晶機(jī)擁有先進(jìn)的預(yù)先圖像辨識(shí)系統(tǒng)（PR System），盡管品質(zhì)參差的引線框架，仍能精準(zhǔn)地焊接于反射杯內(nèi)預(yù)定之位置上。
一般低功率LED器件（如指示設(shè)備和手機(jī)鍵盤的照明）主要是以銀漿固晶，但由于銀漿本身不能抵受高溫，在提升亮度的同時(shí)，發(fā)熱現(xiàn)象也會(huì)產(chǎn)生，因而影響產(chǎn)品。要獲得高品質(zhì)高功率的LED，新的固晶工藝隨之而發(fā)展出來，其中一種就是利用共晶焊接技術(shù)，先將晶粒焊接于一散熱基板（soubmount）或熱沉（heat sink）上，然后把整件晶粒連散熱基板再焊接于封裝器件上，這樣就可增強(qiáng)器件散熱能力，令發(fā)光功率相對地增加。至于基板材料方面，硅（Silicon）、銅（Copper）及陶瓷（Ceramic）等都是一般常用的散熱基板物料。
共晶焊接
技術(shù)最關(guān)鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的控制。新一代的InGaN高亮度LED，如采用共晶焊接，晶粒底部可以采用純錫（Sn）或金錫（Au-Sn）合金作接觸面鍍層，晶?？珊附佑阱冇薪鸹蜚y的基板上。當(dāng)基板被加熱至適合的共晶溫度時(shí)（圖5），金或銀元素滲透到金錫合金層，合金層成份的改變提高溶點(diǎn)，令共晶層固化并將LED緊固的焊于熱沉或基板上（圖6）。選擇共晶溫度視乎晶粒、基板及器件材料耐熱程度及往后SMT回焊制程時(shí)的溫度要求?？紤]共晶固晶機(jī)臺(tái)時(shí)，除高位置精度外，另一重要條件就是有靈活而且穩(wěn)定的溫度控制，加有氮?dú)饣蚧旌蠚怏w裝置，有助于在共晶過程中作防氧化保護(hù)。當(dāng)然和銀漿固晶一樣，要達(dá)至高精度的固晶，有賴于嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臋C(jī)械設(shè)計(jì)及高精度的馬達(dá)運(yùn)動(dòng)，才能令焊頭運(yùn)動(dòng)和焊力控制恰到好處之余，亦無損高產(chǎn)能及高良品率的要求。
進(jìn)行共晶焊接工藝時(shí)亦可加入助焊劑，這技術(shù)最大的特點(diǎn)是無須額外附加焊力，故此不會(huì)因固晶焊力過大而令過多的共晶合金溢出，減低LED產(chǎn)生短路的機(jī)會(huì)。
覆晶(Flip Chip)焊接
覆晶焊接近年被積極地運(yùn)用于大功率LED制程中，覆晶方法把GaN LED晶粒倒接合于散熱基板上，因沒有了金線焊墊阻礙，對提高亮度有一定的幫助。因?yàn)殡娏髁魍ǖ木嚯x縮短，電阻減低，所以熱的產(chǎn)生也相對降低。同時(shí)這樣的接合亦能有效地將熱轉(zhuǎn)至下一層的散熱基板再轉(zhuǎn)到器件外面去。當(dāng)此工藝被應(yīng)用在SMD LED，不但提高光輸出，更可以使產(chǎn)品整體面積縮小，擴(kuò)大產(chǎn)品的應(yīng)用市場。
在覆晶LED技術(shù)發(fā)展上有兩個(gè)主要的方案：一是鉛錫球焊（Solder bump reflow）技術(shù)；另一個(gè)是熱超聲（Thermosonic）焊接技術(shù)。鉛錫球焊接（圖10）已在IC封裝應(yīng)用多時(shí)，工藝技術(shù)亦已成熟，故在此不再詳述。
發(fā)展我國LED裝備業(yè)的具體建議方案
建議國家在支持LED技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展中，把材料與工藝設(shè)備作為發(fā)展的基礎(chǔ)和原動(dòng)力加以支持。在發(fā)展LED技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的過程中，建議我國走“引進(jìn)、消化、吸收、創(chuàng)新、提高”的道路。具體方案如下：在國家支持下，通過國家、LED生產(chǎn)企業(yè)和設(shè)備及材料制造業(yè)三方聯(lián)合，建立具有孵化器功能的中國LED設(shè)備、材料、制造及應(yīng)用聯(lián)合體。
為在短時(shí)間內(nèi)掌握并提高設(shè)備制造水平，帶動(dòng)我國中高檔LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展，建議由聯(lián)合體共同籌措資金（國家50%,設(shè)備研制單位15%，芯片制造與封裝技術(shù)研究單位15%，LED芯片制造與封裝企業(yè)20%）建設(shè)一條完整的LED芯片制造與封裝示范生產(chǎn)線。該示范線以解決設(shè)備研制與工藝試驗(yàn)、LED產(chǎn)品制造工藝技術(shù)研究與驗(yàn)證、實(shí)現(xiàn)工藝技術(shù)與工藝設(shè)備成套供應(yīng)為已任。凡參與該示范建設(shè)的單位，有權(quán)無償使用該生產(chǎn)線進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)品、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化研究與試驗(yàn)，特別是LED產(chǎn)品生產(chǎn)單位，可優(yōu)先優(yōu)惠得到相關(guān)研究與產(chǎn)業(yè)化成果。
針對該示范線，實(shí)施三步走的戰(zhàn)略，最終實(shí)現(xiàn)LED生產(chǎn)設(shè)備商品化和本土化（詳見設(shè)備國產(chǎn)化方案表二）。第一步：利用兩年左右的時(shí)間，對一些關(guān)鍵設(shè)備進(jìn)行國產(chǎn)化（國家給予一定的獎(jiǎng)金支持）；對于國內(nèi)已經(jīng)具有一定基礎(chǔ)且具有性價(jià)比優(yōu)勢的普通設(shè)備則利用市場競爭原則，采取準(zhǔn)入制擇優(yōu)配套（通過制訂標(biāo)準(zhǔn)）；對于部分難度較大、短期內(nèi)國產(chǎn)化不了的設(shè)備，國家應(yīng)安排攻關(guān)，并完成生產(chǎn)型ɑ樣機(jī)開發(fā)。第二步，從本方案實(shí)施的第三年起，第一步中涉及到的前兩類設(shè)備重點(diǎn)解決生產(chǎn)工藝的適應(yīng)性、生產(chǎn)效率、可靠性、外觀及成本等問題，具備國內(nèi)配套及批量供應(yīng)能力，攻關(guān)類設(shè)備完成生產(chǎn)型樣機(jī)商業(yè)化（γ型機(jī)）開發(fā)。第三步，從本方案實(shí)施的第五年起，第一及第二步中涉及到的所有設(shè)備具備國際競爭能力，除滿足國內(nèi)需求外，要占領(lǐng)一定的國際市場；攻關(guān)設(shè)備能夠滿足產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)要求并具備批量供應(yīng)能力。
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